Bipolární tranzistor RF BFP640ESDH6327XTSA1 NPN 50 mA 4,1 V, SOT-343, počet kolíků: 4 45 GHz Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
50 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
4.1 V
Gehäusegröße
SOT-343
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
200 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
4.8 V
Maximální bázové napětí emitoru
0.5 V
Maximální provozní frekvence
45 GHz
Pinanzahl
4
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Abmessungen
2 x 1.25 x 0.9mm
Podrobnosti o výrobku
Bipolární tranzistory SiGe RF Infineon
Řada extrémně nízkých šumových wideband NPN bipolární RF tranzistorů od Infineon. Tato heterogenní bipolární zařízení využívají Infineon křemíkovou germanium uhlíkovou (SiGe:C) technologii a jsou zvláště vhodná pro mobilní aplikace, kde je klíčovým požadavkem nízká spotřeba energie. S typickými přechodovými frekvencemi až 65 GHz nabízejí tato zařízení vysoký nárůst výkonu při frekvencích až 10 GHz při použití v aplikacích zesilovačů. Tranzistor obsahuje vnitřní obvody pro ESD a ochranu před nadměrným příkonem RF.
Bipolar Transistors, Infineon
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 13,30
€ 0,532 Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
Štandardný
25
€ 13,30
€ 0,532 Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
Štandardný
25
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 25 - 225 | € 0,532 | € 13,30 |
| 250 - 600 | € 0,399 | € 9,98 |
| 625 - 1225 | € 0,372 | € 9,31 |
| 1250 - 2475 | € 0,346 | € 8,64 |
| 2500+ | € 0,319 | € 7,98 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
50 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
4.1 V
Gehäusegröße
SOT-343
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
200 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
4.8 V
Maximální bázové napětí emitoru
0.5 V
Maximální provozní frekvence
45 GHz
Pinanzahl
4
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Abmessungen
2 x 1.25 x 0.9mm
Podrobnosti o výrobku
Bipolární tranzistory SiGe RF Infineon
Řada extrémně nízkých šumových wideband NPN bipolární RF tranzistorů od Infineon. Tato heterogenní bipolární zařízení využívají Infineon křemíkovou germanium uhlíkovou (SiGe:C) technologii a jsou zvláště vhodná pro mobilní aplikace, kde je klíčovým požadavkem nízká spotřeba energie. S typickými přechodovými frekvencemi až 65 GHz nabízejí tato zařízení vysoký nárůst výkonu při frekvencích až 10 GHz při použití v aplikacích zesilovačů. Tranzistor obsahuje vnitřní obvody pro ESD a ochranu před nadměrným příkonem RF.
Bipolar Transistors, Infineon
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products