Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
OptiMOS™
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
270 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.8V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Maximální ztrátový výkon
1.8 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
3.5mm
Länge
6.5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
9,5 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.6mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.1V
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™ - malé signální tranzistory MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 213,21
€ 0,213 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
€ 213,21
€ 0,213 Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
1000 - 1000 | € 0,213 | € 213,21 |
2000 - 2000 | € 0,203 | € 202,55 |
3000+ | € 0,19 | € 189,76 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
OptiMOS™
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
270 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.8V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Maximální ztrátový výkon
1.8 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
3.5mm
Länge
6.5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
9,5 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.6mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.1V
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™ - malé signální tranzistory MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.