IGBT IKW40N65H5FKSA1 N-kanálový 74 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonMaximální stejnosměrný proud kolektoru
74 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
650 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
250 W
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Betriebstemperatur max.
175 °C
Jmenovitá energie
0.51mJ
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Kapacitance hradla
2500pF
Podrobnosti o výrobku
Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 600 a 650
Řada IGBT tranzistorů od Infineon s napěťovým stupněním sběračů 600 a 650 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.
• Rozsah napětí kolektoru-emitoru 600 až 650 V.
• Velmi nízký VCEsat
• Nízké ztráty při vypnutí
• Krátký proud zadních výklopných dveří
• Nízká EMI
• Maximální teplota spoje 175 °C.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 82,45
€ 4,122 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
20
€ 82,45
€ 4,122 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 20 - 36 | € 4,122 | € 16,49 |
| 40 - 96 | € 3,85 | € 15,40 |
| 100 - 196 | € 3,58 | € 14,32 |
| 200+ | € 3,308 | € 13,23 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonMaximální stejnosměrný proud kolektoru
74 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
650 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
250 W
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Betriebstemperatur max.
175 °C
Jmenovitá energie
0.51mJ
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Kapacitance hradla
2500pF
Podrobnosti o výrobku
Infineon TrenchStop IGBT tranzistory, 600 a 650
Řada IGBT tranzistorů od Infineon s napěťovým stupněním sběračů 600 a 650 V vybavených technologií TrenchStop™. Tato řada zahrnuje zařízení s integrovanou antiparalelní diodou pro vysokou rychlost obnovy.
• Rozsah napětí kolektoru-emitoru 600 až 650 V.
• Velmi nízký VCEsat
• Nízké ztráty při vypnutí
• Krátký proud zadních výklopných dveří
• Nízká EMI
• Maximální teplota spoje 175 °C.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products