Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
800 V
Řada
CoolMOS™ P7
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.4 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
32 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Počet prvků na čip
1
Breite
6.22mm
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
0.9V
Höhe
2.41mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Infineon CoolMOS™P7
Řada výkonových MOSFET 800 V CoolMOS P7 přináší ještě vyšší efektivitu a tepelný výkon. Vhodné aplikace jsou napájecí adaptéry, osvětlení LED, audio, průmyslové a pomocné napájení.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 876,00
€ 0,35 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 876,00
€ 0,35 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
2500 - 2500 | € 0,35 | € 876,00 |
5000+ | € 0,333 | € 832,20 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
800 V
Řada
CoolMOS™ P7
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.4 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
32 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Počet prvků na čip
1
Breite
6.22mm
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
0.9V
Höhe
2.41mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Infineon CoolMOS™P7
Řada výkonových MOSFET 800 V CoolMOS P7 přináší ještě vyšší efektivitu a tepelný výkon. Vhodné aplikace jsou napájecí adaptéry, osvětlení LED, audio, průmyslové a pomocné napájení.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.