řada: OptiMOS™ 3MOSFET IPP042N03LGXKSA1 N-kanálový 70 A 30 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 145-8904Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IPP042N03L G
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

70 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Řada

OptiMOS™ 3

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

Through Hole

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

6 m Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.2V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

79 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

4.57mm

Länge

10.36mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

18 nC při 4,5 V

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

175 °C

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.1V

Höhe

15.95mm

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Infineon OptiMOS™3 - výkonové MOSFET, až 40 V.

Produkty OptiMOS™ jsou k dispozici ve vysoce výkonných balíčcích, které se zabývají nejnáročnějšími aplikacemi a poskytují plnou flexibilitu v omezených prostorách. Tyto produkty Infineon jsou navrženy tak, aby splňovaly požadavky na energetickou účinnost a hustotu energie na základě naostřených standardů nové generace pro regulaci napětí v počítačových aplikacích.

Rychle přepínaný MOSFET pro SMPS
Optimalizovaná technologie pro měniče DC/DC
Kvalifikováno podle JEDEC1) pro cílové aplikace
N-kanál, logická úroveň
Vynikající náboj řídicí elektrody x součin R DS(on) (FOM)
Velice nízký spínací odpor R DS(on)
Povrchová vrstva bez obsahu olova

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 53,88

€ 1,078 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)

řada: OptiMOS™ 3MOSFET IPP042N03LGXKSA1 N-kanálový 70 A 30 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

€ 53,88

€ 1,078 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)

řada: OptiMOS™ 3MOSFET IPP042N03LGXKSA1 N-kanálový 70 A 30 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

množstvoJednotková cenaTuba
50 - 50€ 1,078€ 53,88
100 - 200€ 1,013€ 50,65
250+€ 0,97€ 48,49

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

70 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Řada

OptiMOS™ 3

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

Through Hole

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

6 m Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.2V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

79 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

4.57mm

Länge

10.36mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

18 nC při 4,5 V

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

175 °C

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.1V

Höhe

15.95mm

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Infineon OptiMOS™3 - výkonové MOSFET, až 40 V.

Produkty OptiMOS™ jsou k dispozici ve vysoce výkonných balíčcích, které se zabývají nejnáročnějšími aplikacemi a poskytují plnou flexibilitu v omezených prostorách. Tyto produkty Infineon jsou navrženy tak, aby splňovaly požadavky na energetickou účinnost a hustotu energie na základě naostřených standardů nové generace pro regulaci napětí v počítačových aplikacích.

Rychle přepínaný MOSFET pro SMPS
Optimalizovaná technologie pro měniče DC/DC
Kvalifikováno podle JEDEC1) pro cílové aplikace
N-kanál, logická úroveň
Vynikající náboj řídicí elektrody x součin R DS(on) (FOM)
Velice nízký spínací odpor R DS(on)
Povrchová vrstva bez obsahu olova

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more