řada: OptiMOS™ 5MOSFET IPT007N06NATMA1 N-kanálový 300 A 60 V, HSOF-8, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
300 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
OptiMOS™ 5
Gehäusegröße
HSOF-8
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
1 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
375 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
10.1mm
Länge
10.58mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
216 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
175 °C
Propustné napětí diody
1V
Höhe
2.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™5 - výkonové tranzistory MOSF
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 7 481,98
€ 3,741 Each (On a Reel of 2000) (bez DPH)
2000
€ 7 481,98
€ 3,741 Each (On a Reel of 2000) (bez DPH)
2000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
300 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
OptiMOS™ 5
Gehäusegröße
HSOF-8
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
1 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
375 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
10.1mm
Länge
10.58mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
216 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
175 °C
Propustné napětí diody
1V
Höhe
2.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Infineon OptiMOS™5 - výkonové tranzistory MOSF
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products