Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
198 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Řada
DirectFET
Gehäusegröße
DirectFET izometrický
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.4 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.9V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Maximální ztrátový výkon
96 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.05mm
Počet prvků na čip
1
Länge
6.35mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
141 nC při 20 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
0.53mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
Silné MOSFET™, Infineon
Řada StrongIRFET společnosti Infineon je optimalizována pro nízké přenosové moduly (zapnuto) a vysoké nároky na proud. Toto portfolio nabízí vylepšenou bránu, lavinu a dynamickou dv/dt robustnost ideální pro průmyslové nízkofrekvenční aplikace včetně pohonů, nástrojů napájení, měničů a správy baterií, kde je výkon a robustnost zásadní.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 37,80
€ 1,89 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
20
€ 37,80
€ 1,89 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
20 - 48 | € 1,89 | € 3,78 |
50 - 98 | € 1,765 | € 3,53 |
100 - 198 | € 1,635 | € 3,27 |
200+ | € 1,53 | € 3,06 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
198 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Řada
DirectFET
Gehäusegröße
DirectFET izometrický
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.4 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.9V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Maximální ztrátový výkon
96 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.05mm
Počet prvků na čip
1
Länge
6.35mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
141 nC při 20 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
0.53mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
Silné MOSFET™, Infineon
Řada StrongIRFET společnosti Infineon je optimalizována pro nízké přenosové moduly (zapnuto) a vysoké nároky na proud. Toto portfolio nabízí vylepšenou bránu, lavinu a dynamickou dv/dt robustnost ideální pro průmyslové nízkofrekvenční aplikace včetně pohonů, nástrojů napájení, měničů a správy baterií, kde je výkon a robustnost zásadní.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.