Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
HEXFET
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
32 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.3V
Maximální ztrátový výkon
2 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4mm
Počet prvků na čip
2
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
26 nC při 15 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.5mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
Řada Infineon diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® obsahuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech. A tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s uspořádáním desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 6,52
€ 0,261 Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
Štandardný
25
€ 6,52
€ 0,261 Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
Štandardný
25
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
25 - 100 | € 0,261 | € 6,52 |
125 - 225 | € 0,204 | € 5,09 |
250 - 600 | € 0,19 | € 4,76 |
625 - 1225 | € 0,177 | € 4,43 |
1250+ | € 0,164 | € 4,11 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
HEXFET
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
32 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.3V
Maximální ztrátový výkon
2 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4mm
Počet prvků na čip
2
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
26 nC při 15 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.5mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
Řada Infineon diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® obsahuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech. A tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s uspořádáním desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.