Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
195 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Řada
StrongIRFET
Gehäusegröße
TO-247AC
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1,3 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.9V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Maximální ztrátový výkon
366 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
15.87mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
460 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Breite
5.31mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
20.7mm
Podrobnosti o výrobku
Silné MOSFET™, Infineon
Řada StrongIRFET společnosti Infineon je optimalizována pro nízké přenosové moduly (zapnuto) a vysoké nároky na proud. Toto portfolio nabízí vylepšenou bránu, lavinu a dynamickou dv/dt robustnost ideální pro průmyslové nízkofrekvenční aplikace včetně pohonů, nástrojů napájení, měničů a správy baterií, kde je výkon a robustnost zásadní.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 29,60
€ 2,96 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
10
€ 29,60
€ 2,96 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena |
---|---|
10 - 24 | € 2,96 |
25 - 49 | € 2,89 |
50 - 99 | € 2,70 |
100+ | € 2,52 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
195 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Řada
StrongIRFET
Gehäusegröße
TO-247AC
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1,3 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.9V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Maximální ztrátový výkon
366 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
15.87mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
460 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Breite
5.31mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
20.7mm
Podrobnosti o výrobku
Silné MOSFET™, Infineon
Řada StrongIRFET společnosti Infineon je optimalizována pro nízké přenosové moduly (zapnuto) a vysoké nároky na proud. Toto portfolio nabízí vylepšenou bránu, lavinu a dynamickou dv/dt robustnost ideální pro průmyslové nízkofrekvenční aplikace včetně pohonů, nástrojů napájení, měničů a správy baterií, kde je výkon a robustnost zásadní.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.