řada: HEXFETMOSFET IRLS3034TRLPBF N-kanálový 343 A 40 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
343 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Řada
HEXFET
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
375 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4.83mm
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
108 nC při 4,5 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.3V
Höhe
9.65mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET 40 V, Infineon
Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech a v provedení, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 5,95
€ 2,975 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
€ 5,95
€ 2,975 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
2
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
343 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Řada
HEXFET
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
375 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4.83mm
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
108 nC při 4,5 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.3V
Höhe
9.65mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET 40 V, Infineon
Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech a v provedení, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products