Aktuálne dodacie lehoty

Od 1. apríla 2025 vaše objednávky doručuje spoločnosť GLS. Všetky zásielky sa teraz budú doručovať cestnou dopravou. Väčšina objednávok bude doručená do 72 hodín.

Podrobné informácie

řada: HEXFETMOSFET IRLU024NPBF N-kanálový 17 A 55 V, IPAK (TO-251), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 543-0591Značka: InfineonČíslo dielu výrobcu: IRLU024NPBF
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

17 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

55 V

Řada

HEXFET

Gehäusegröße

IPAK (TO-251)

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

65 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

45 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-16 V, +16 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

15 nC při 5 V

Breite

2.39mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

6.73mm

Maximální pracovní teplota

175 °C

Höhe

6.22mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkon MOSFET 55 V, Infineon

Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech a v provedení, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 0,78

€ 0,78 Each (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRLU024NPBF N-kanálový 17 A 55 V, IPAK (TO-251), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 0,78

€ 0,78 Each (bez DPH)

řada: HEXFETMOSFET IRLU024NPBF N-kanálový 17 A 55 V, IPAK (TO-251), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

množstvoJednotková cena
1 - 24€ 0,78
25 - 49€ 0,74
50 - 99€ 0,71
100 - 249€ 0,66
250+€ 0,63

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

17 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

55 V

Řada

HEXFET

Gehäusegröße

IPAK (TO-251)

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

65 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

45 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-16 V, +16 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

15 nC při 5 V

Breite

2.39mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

6.73mm

Maximální pracovní teplota

175 °C

Höhe

6.22mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkon MOSFET 55 V, Infineon

Řada diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® společnosti Infineon zahrnuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech a v provedení, které mohou řešit téměř všechny problémy s rozvržením desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more