P-Channel MOSFET Transistor, 4.3 A, 12 V, 3-Pin SOT-23 International Rectifier IRLML6401

Skladové číslo RS: 395-8867Značka: International RectifierČíslo dielu výrobcu: IRLML6401
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

4.3 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

12 V

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

125 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon

1.3 W

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-8 V, +8 V

Počet prvků na čip

1

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Länge

3.05mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

10 nC při 5 V

Breite

1.4mm

Řada

HEXFET

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.01mm

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

P.O.A.

Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

P-Channel MOSFET Transistor, 4.3 A, 12 V, 3-Pin SOT-23 International Rectifier IRLML6401

P.O.A.

Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

P-Channel MOSFET Transistor, 4.3 A, 12 V, 3-Pin SOT-23 International Rectifier IRLML6401

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

4.3 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

12 V

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

125 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon

1.3 W

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-8 V, +8 V

Počet prvků na čip

1

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Länge

3.05mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

10 nC při 5 V

Breite

1.4mm

Řada

HEXFET

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.01mm

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more