řada: HiperFET, PolarMOSFET IXFH36N50P N-kanálový 36 A 500 V, TO-247AD, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
36 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Řada
HiperFET, Polar
Gehäusegröße
TO-247AD
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
170 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Maximální ztrátový výkon
540 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Počet prvků na čip
1
Länge
16.26mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
93 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Breite
5.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
21.46mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™
Výkonové tranzistory MOSFET s technologií N-Channel a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™) od IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 212,65
€ 7,088 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 212,65
€ 7,088 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 7,088 | € 212,65 |
| 60 - 120 | € 6,805 | € 204,14 |
| 150+ | € 6,592 | € 197,76 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
36 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Řada
HiperFET, Polar
Gehäusegröße
TO-247AD
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
170 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Maximální ztrátový výkon
540 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Počet prvků na čip
1
Länge
16.26mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
93 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Breite
5.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
21.46mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™
Výkonové tranzistory MOSFET s technologií N-Channel a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™) od IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products