řada: HiperFET, PolarMOSFET IXFH44N50P N-kanálový 44 A 500 V, TO-247AD, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
44 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Řada
HiperFET, Polar
Gehäusegröße
TO-247AD
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
140 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Maximální ztrátový výkon
650 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
98 nC při 10 V
Breite
5.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
16.26mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
21.46mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™
Výkonové tranzistory MOSFET s technologií N-Channel a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™) od IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 12,68
€ 12,68 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 12,68
€ 12,68 Each (bez DPH)
Štandardný
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 5 | € 12,68 |
| 6 - 14 | € 10,92 |
| 15+ | € 10,40 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
44 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Řada
HiperFET, Polar
Gehäusegröße
TO-247AD
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
140 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Maximální ztrátový výkon
650 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
98 nC při 10 V
Breite
5.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
16.26mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
21.46mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™
Výkonové tranzistory MOSFET s technologií N-Channel a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™) od IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products