Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSMaximální stejnosměrný proud kolektoru
50 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
1200 V
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
€ 11,52
€ 11,52 Each (bez DPH)
1
€ 11,52
€ 11,52 Each (bez DPH)
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena |
---|---|
1 - 9 | € 11,52 |
10+ | € 10,03 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSMaximální stejnosměrný proud kolektoru
50 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
1200 V
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.