řada: LinearMOSFET IXTN62N50L N-kanálový 62 A 500 V, SOT-227, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
62 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Řada
Linear
Gehäusegröße
SOT-227
Montage-Typ
Upevnění šroubem
Počet kolíků
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
100 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Maximální ztrátový výkon
800 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
25.42mm
Länge
38.23mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
550 nC při 20 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Höhe
9.6mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
United States
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS
Výkonové tranzistory MOSFET N-Channel určené speciálně pro lineární provoz. Tato zařízení jsou vybavena rozšířenou operační oblastí pro bezpečný chod vpřed (FBSOA) pro zvýšenou robustnost a spolehlivost.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 640,73
€ 64,073 Each (In a Tube of 10) (bez DPH)
10
€ 640,73
€ 64,073 Each (In a Tube of 10) (bez DPH)
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
62 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Řada
Linear
Gehäusegröße
SOT-227
Montage-Typ
Upevnění šroubem
Počet kolíků
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
100 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Maximální ztrátový výkon
800 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
25.42mm
Länge
38.23mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
550 nC při 20 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Höhe
9.6mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
United States
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS
Výkonové tranzistory MOSFET N-Channel určené speciálně pro lineární provoz. Tato zařízení jsou vybavena rozšířenou operační oblastí pro bezpečný chod vpřed (FBSOA) pro zvýšenou robustnost a spolehlivost.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products