řada: HiperFET, PolarMOSFET IXTP75N10P N-kanálový 75 A 100 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 193-486PZnačka: IXYSČíslo dielu výrobcu: IXTP75N10P
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

IXYS

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

75 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Řada

HiperFET, Polar

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

25 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

5.5V

Maximální ztrátový výkon

360 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

74 nC při 10 V

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Maximální pracovní teplota

175 °C

Höhe

9.15mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™

Výkonové tranzistory MOSFET s technologií N-Channel a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™) od IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

řada: HiperFET, PolarMOSFET IXTP75N10P N-kanálový 75 A 100 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

P.O.A.

řada: HiperFET, PolarMOSFET IXTP75N10P N-kanálový 75 A 100 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

IXYS

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

75 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Řada

HiperFET, Polar

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

25 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

5.5V

Maximální ztrátový výkon

360 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

74 nC při 10 V

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Maximální pracovní teplota

175 °C

Höhe

9.15mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™

Výkonové tranzistory MOSFET s technologií N-Channel a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™) od IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more