Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
55 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.25V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.75V
Maximální ztrátový výkon
415 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Počet prvků na čip
1
Breite
1.4mm
Länge
3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,5 nC při 4,5 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 811,58
€ 0,271 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 811,58
€ 0,271 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
55 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.25V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.75V
Maximální ztrátový výkon
415 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Počet prvků na čip
1
Breite
1.4mm
Länge
3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,5 nC při 4,5 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku