MOSFET PSMN0R9-25YLC,115 N-kanálový 100 A 25 V, LFPAK, SOT-669, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Gehäusegröße
LFPAK, SOT-669
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.25 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.95V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.05V
Maximální ztrátový výkon
272 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.1mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
110 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
MOSFET s kanálem N-Channel, až 30 V.
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 6,12
€ 2,04 Each (In a Pack of 3) (bez DPH)
Štandardný
3
€ 6,12
€ 2,04 Each (In a Pack of 3) (bez DPH)
Štandardný
3
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 3 - 27 | € 2,04 | € 6,12 |
| 30 - 72 | € 1,88 | € 5,64 |
| 75 - 147 | € 1,76 | € 5,28 |
| 150 - 297 | € 1,62 | € 4,86 |
| 300+ | € 1,487 | € 4,46 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Gehäusegröße
LFPAK, SOT-669
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.25 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.95V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.05V
Maximální ztrátový výkon
272 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.1mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
110 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
MOSFET s kanálem N-Channel, až 30 V.
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products