MOSFET PSMN1R2-30YLC,115 N-kanálový 100 A 30 V, LFPAK, SOT-669, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 798-2906Značka: NexperiaČíslo dielu výrobcu: PSMN1R2-30YLC,115
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

100 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

LFPAK, SOT-669

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

4

Maximální odpor kolektor/zdroj

1,65 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1.95V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.05V

Maximální ztrátový výkon

215 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

78 nC při 10 V

Maximální pracovní teplota

175 °C

Breite

4.1mm

Počet prvků na čip

1

Länge

5mm

Materiál tranzistoru

Si

Höhe

1.1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

Philippines

Podrobnosti o výrobku

MOSFET s kanálem N-Channel, až 30 V.

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 7,20

€ 1,44 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

MOSFET PSMN1R2-30YLC,115 N-kanálový 100 A 30 V, LFPAK, SOT-669, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 7,20

€ 1,44 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

MOSFET PSMN1R2-30YLC,115 N-kanálový 100 A 30 V, LFPAK, SOT-669, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

100 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

LFPAK, SOT-669

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

4

Maximální odpor kolektor/zdroj

1,65 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1.95V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.05V

Maximální ztrátový výkon

215 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

78 nC při 10 V

Maximální pracovní teplota

175 °C

Breite

4.1mm

Počet prvků na čip

1

Länge

5mm

Materiál tranzistoru

Si

Höhe

1.1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

Philippines

Podrobnosti o výrobku

MOSFET s kanálem N-Channel, až 30 V.

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more