Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
300 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-323
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
4.8 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Maximální ztrátový výkon
350 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Länge
2.92mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
1.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
1.2mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Rozšiřující režim MOSFET N-Channel, Fairchild Semiconductor
Zdokonalené režimy tranzistory FET (Field Effect Transistory) jsou vyráběny s využitím patentované technologie Fairchild s vysokou hustotou buněk DMOS. Tento proces s vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
€ 11,14
€ 0,111 Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Štandardný
100
€ 11,14
€ 0,111 Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Štandardný
100
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena | Páska |
---|---|---|
100 - 400 | € 0,111 | € 11,14 |
500 - 900 | € 0,096 | € 9,60 |
1000+ | € 0,083 | € 8,32 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
300 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-323
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
4.8 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Maximální ztrátový výkon
350 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Länge
2.92mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
1.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
1.2mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Rozšiřující režim MOSFET N-Channel, Fairchild Semiconductor
Zdokonalené režimy tranzistory FET (Field Effect Transistory) jsou vyráběny s využitím patentované technologie Fairchild s vysokou hustotou buněk DMOS. Tento proces s vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.