Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-1,5 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
-80 V
Gehäusegröße
TO-126
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
12.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-80 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Abmessungen
8 x 3.25 x 11mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory Power PNP, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
P.O.A.
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
P.O.A.
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-1,5 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
-80 V
Gehäusegröße
TO-126
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
12.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
-80 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Abmessungen
8 x 3.25 x 11mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory Power PNP, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.