Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
min. 5mA
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-35 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
35V
Konfigurace
Single
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
50 Ω
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Počet kolíků
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
28pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
28pF
Abmessungen
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Breite
1.3mm
Höhe
0.93mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Länge
2.92mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 23,53
€ 0,235 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
€ 23,53
€ 0,235 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
100 - 225 | € 0,235 | € 5,88 |
250 - 475 | € 0,204 | € 5,10 |
500 - 975 | € 0,179 | € 4,48 |
1000+ | € 0,163 | € 4,08 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
min. 5mA
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-35 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
35V
Konfigurace
Single
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
50 Ω
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Počet kolíků
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
28pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
28pF
Abmessungen
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Breite
1.3mm
Höhe
0.93mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Länge
2.92mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.