Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
900 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Řada
NDS352AP
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
0.5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
20V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
2 nC při 4,5 V
Počet prvků na čip
1
Breite
1.4mm
Länge
2.92mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.94mm
€ 382,80
€ 0,128 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 382,80
€ 0,128 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
900 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Řada
NDS352AP
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
0.5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
20V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
2 nC při 4,5 V
Počet prvků na čip
1
Breite
1.4mm
Länge
2.92mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.94mm