Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
150 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SC-75
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
7.5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Počet prvků na čip
1
Materiál tranzistoru
Si
Länge
1.65mm
Breite
0.9mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.8mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET s diodou Schottky, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 45,20
€ 0,09 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
500
€ 45,20
€ 0,09 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
500
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
500 - 1200 | € 0,09 | € 4,52 |
1250 - 2450 | € 0,085 | € 4,27 |
2500 - 4950 | € 0,078 | € 3,92 |
5000+ | € 0,072 | € 3,59 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
150 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SC-75
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
7.5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Počet prvků na čip
1
Materiál tranzistoru
Si
Länge
1.65mm
Breite
0.9mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.8mm
Podrobnosti o výrobku