Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TSOP-6
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
142 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
1.4 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
1.7mm
Počet prvků na čip
1
Materiál tranzistoru
Si
Länge
3.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
18,1 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 30 V až 500 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 7,87
€ 0,315 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
25
€ 7,87
€ 0,315 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
25
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TSOP-6
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
142 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
1.4 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
1.7mm
Počet prvků na čip
1
Materiál tranzistoru
Si
Länge
3.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
18,1 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku