MOSFET NTGS5120PT1G P-kanálový 2,9 A 60 V, TSOP-6, počet kolíků: 6 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 780-0579PZnačka: onsemiČíslo dielu výrobcu: NTGS5120PT1G
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

2.9 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Gehäusegröße

TSOP-6

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

6

Maximální odpor kolektor/zdroj

142 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

3V

Maximální ztrátový výkon

1.4 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

1.7mm

Počet prvků na čip

1

Materiál tranzistoru

Si

Länge

3.1mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

18,1 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Napájecí MOSFET s kanálem P, 30 V až 500 V, on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 7,87

€ 0,315 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET NTGS5120PT1G P-kanálový 2,9 A 60 V, TSOP-6, počet kolíků: 6 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 7,87

€ 0,315 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET NTGS5120PT1G P-kanálový 2,9 A 60 V, TSOP-6, počet kolíků: 6 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

2.9 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Gehäusegröße

TSOP-6

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

6

Maximální odpor kolektor/zdroj

142 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

3V

Maximální ztrátový výkon

1.4 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

1.7mm

Počet prvků na čip

1

Materiál tranzistoru

Si

Länge

3.1mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

18,1 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Napájecí MOSFET s kanálem P, 30 V až 500 V, on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more