Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
50 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
DFN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
5
Maximální odpor kolektor/zdroj
13 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
46 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
6.1mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
9,5 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
1.05mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 60 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 112,80
€ 0,564 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
200
€ 112,80
€ 0,564 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
200
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
200 - 480 | € 0,564 | € 11,28 |
500+ | € 0,489 | € 9,78 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
50 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
DFN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
5
Maximální odpor kolektor/zdroj
13 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
46 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
6.1mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
9,5 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
1.05mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku