Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
50 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Řada
MegaFET
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
22 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
131 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
125 nC při 20 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Breite
4.83mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
9.4mm
Podrobnosti o výrobku
MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor
Proces MegaFET, který používá velikosti funkcí, které se blíží rozměrům integrovaných obvodů LSI, poskytuje optimální využití křemíku, což má za následek vynikající výkon.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
€ 80,04
€ 1,601 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 80,04
€ 1,601 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
50 - 50 | € 1,601 | € 80,04 |
100 - 450 | € 1,356 | € 67,79 |
500 - 950 | € 1,18 | € 58,99 |
1000+ | € 1,144 | € 57,22 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
50 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Řada
MegaFET
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
22 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
131 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
125 nC při 20 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Breite
4.83mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
9.4mm
Podrobnosti o výrobku
MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor
Proces MegaFET, který používá velikosti funkcí, které se blíží rozměrům integrovaných obvodů LSI, poskytuje optimální využití křemíku, což má za následek vynikající výkon.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.