řada: RQ5E035BNMOSFET RQ5E035BNTCL N-kanálový 3,5 A 30 V, TSMT-3, počet kolíků: 3 Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
RQ5E035BN
Gehäusegröße
TSMT-3
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
56 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
1.8mm
Länge
3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
0.95mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET N-Channel, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 15,14
€ 0,303 Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
Štandardný
50
€ 15,14
€ 0,303 Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
Štandardný
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 0,303 | € 15,14 |
| 250 - 450 | € 0,234 | € 11,69 |
| 500 - 2450 | € 0,228 | € 11,38 |
| 2500 - 4950 | € 0,219 | € 10,94 |
| 5000+ | € 0,214 | € 10,70 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
RQ5E035BN
Gehäusegröße
TSMT-3
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
56 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
1.8mm
Länge
3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
0.95mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET N-Channel, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products