řada: RQ6E050ATMOSFET RQ6E050ATTCR P-kanálový 5 A 30 V, TSMT-6, počet kolíků: 6 Dvojitá základna
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
RQ6E050AT
Gehäusegröße
TSMT-6
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
38 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
1.25 W
Konfigurace tranzistoru
Dvojitá základna
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-18 V, +18 V
Breite
1.8mm
Počet prvků na čip
1
Länge
3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
20,8 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
0.95mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Krajina pôvodu
Thailand
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET s kanálem P, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 6,20
€ 0,248 Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
25
€ 6,20
€ 0,248 Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
25
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
RQ6E050AT
Gehäusegröße
TSMT-6
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
38 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
1.25 W
Konfigurace tranzistoru
Dvojitá základna
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-18 V, +18 V
Breite
1.8mm
Počet prvků na čip
1
Länge
3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
20,8 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
0.95mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Krajina pôvodu
Thailand
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET s kanálem P, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products