IGBT modul SEMiX303GB12E4p N-kanálový 469 A 1200 V, SEMiX®3p, počet kolíků: 11 Sériové zapojení

Skladové číslo RS: 122-0391Značka: Semikron DanfossČíslo dielu výrobcu: SEMiX303GB12E4pDistrelec Article No.: 30122437
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii IGBT

Technické dokumenty

Špecifikácie

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

469 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

20V

Konfigurace

Series

Gehäusegröße

SEMiX®3p

Montage-Typ

Through Hole

Typ kanálu

N

Pinanzahl

11

Konfigurace tranzistoru

Series

Maximální pracovní teplota

175 °C

Abmessungen

150 x 62.4 x 17mm

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Breite

62.4mm

Podrobnosti o výrobku

Duální IGBT moduly SEmiX®

Duální IGBT moduly Semikron v moderních nízkoprofilových balíčcích SEmiX® vhodných pro aplikace řízení výkonu na polovině můstku. Moduly používají pájecí pružinu nebo lisované kontakty, které umožňují montáž ovladače uzávěru přímo na Top modulu, čímž šetří místo a nabízejí větší spolehlivost připojení. Mezi typické aplikace patří převodníky střídavého proudu, UPS, elektronické svařovací a obnovitelné energetické systémy.
Vhodné moduly ovladače zadních výklopných dveří pro zalisování viz 122-0385 122-0387

• Montážní sada bez pájených profilů
• Trenchgate technologie IGBT
• VCE(sat) má kladný teplotní koeficient
• Možnost vysokého zkratového proudu
• Nalisujte kolíky jako pomocné kontakty
• uznána organizací UL

IGBT Modules, Semikron

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 211,85

€ 211,85 Each (bez DPH)

IGBT modul SEMiX303GB12E4p N-kanálový 469 A 1200 V, SEMiX®3p, počet kolíků: 11 Sériové zapojení

€ 211,85

€ 211,85 Each (bez DPH)

IGBT modul SEMiX303GB12E4p N-kanálový 469 A 1200 V, SEMiX®3p, počet kolíků: 11 Sériové zapojení

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

469 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

20V

Konfigurace

Series

Gehäusegröße

SEMiX®3p

Montage-Typ

Through Hole

Typ kanálu

N

Pinanzahl

11

Konfigurace tranzistoru

Series

Maximální pracovní teplota

175 °C

Abmessungen

150 x 62.4 x 17mm

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Breite

62.4mm

Podrobnosti o výrobku

Duální IGBT moduly SEmiX®

Duální IGBT moduly Semikron v moderních nízkoprofilových balíčcích SEmiX® vhodných pro aplikace řízení výkonu na polovině můstku. Moduly používají pájecí pružinu nebo lisované kontakty, které umožňují montáž ovladače uzávěru přímo na Top modulu, čímž šetří místo a nabízejí větší spolehlivost připojení. Mezi typické aplikace patří převodníky střídavého proudu, UPS, elektronické svařovací a obnovitelné energetické systémy.
Vhodné moduly ovladače zadních výklopných dveří pro zalisování viz 122-0385 122-0387

• Montážní sada bez pájených profilů
• Trenchgate technologie IGBT
• VCE(sat) má kladný teplotní koeficient
• Možnost vysokého zkratového proudu
• Nalisujte kolíky jako pomocné kontakty
• uznána organizací UL

IGBT Modules, Semikron

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more