Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
17 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Řada
MDmesh
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
190 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
125 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Länge
10.75mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
46 nC při 10 V
Breite
10.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
4.6mm
Podrobnosti o výrobku
Technologie N-Channel MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 33,60
€ 3,36 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
10
€ 33,60
€ 3,36 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena |
---|---|
10 - 99 | € 3,36 |
100 - 499 | € 3,01 |
500 - 999 | € 2,65 |
1000+ | € 2,30 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
17 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Řada
MDmesh
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
190 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
125 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Länge
10.75mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
46 nC při 10 V
Breite
10.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
4.6mm
Podrobnosti o výrobku