řada: STripFET F7MOSFET STP100N6F7 N-kanálový 100 A 60 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Řada
STripFET F7
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
5.6 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
125 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
12,6 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
10.4mm
Breite
4.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Höhe
9.15mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady F7, STMicroelectronics
Řada STMicroelectronics STripFET™ F7 nízkonapěťových tranzistorů MOSFET má nižší odpor zařízení ve stavu se sníženou interní kapacitou a nábojem brány pro rychlejší faster a efektivnější přepínání.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 9,36
€ 0,936 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 9,36
€ 0,936 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 0,936 | € 9,36 |
| 50 - 90 | € 0,892 | € 8,92 |
| 100 - 240 | € 0,868 | € 8,68 |
| 250 - 490 | € 0,846 | € 8,46 |
| 500+ | € 0,825 | € 8,25 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Řada
STripFET F7
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
5.6 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
125 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
12,6 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
10.4mm
Breite
4.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Höhe
9.15mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ řady F7, STMicroelectronics
Řada STMicroelectronics STripFET™ F7 nízkonapěťových tranzistorů MOSFET má nižší odpor zařízení ve stavu se sníženou interní kapacitou a nábojem brány pro rychlejší faster a efektivnější přepínání.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products