Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
950 V
Řada
MDmesh K5, SuperMESH5
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
500 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
170 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
4.6mm
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
30 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Höhe
15.75mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Řada N-channel MDmesh™ K5, SuperMESH5™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 148,20
€ 2,964 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 148,20
€ 2,964 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
50 - 50 | € 2,964 | € 148,20 |
100 - 200 | € 2,371 | € 118,56 |
250+ | € 2,20 | € 110,00 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
950 V
Řada
MDmesh K5, SuperMESH5
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
500 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
170 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
4.6mm
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
30 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Höhe
15.75mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku