Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
50 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Řada
STripFET
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
28 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
150 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
10.4mm
Betriebstemperatur max.
175 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
46,5 nC při 10 V
Breite
4.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
9.15mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 21,88
€ 2,188 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
10
€ 21,88
€ 2,188 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
50 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Řada
STripFET
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
28 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
150 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
10.4mm
Betriebstemperatur max.
175 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
46,5 nC při 10 V
Breite
4.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
9.15mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku