Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
500 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
500 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Minimální proudový zisk DC
100
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
500 V
Maximální bázové napětí emitoru
9 V
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
3.04 x 1.75 x 1.3mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Vysokonapěťové tranzistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
€ 378,00
€ 0,126 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 378,00
€ 0,126 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
500 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
500 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Minimální proudový zisk DC
100
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
500 V
Maximální bázové napětí emitoru
9 V
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
3.04 x 1.75 x 1.3mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Vysokonapěťové tranzistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.