Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
10.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
800 V
Řada
MDmesh, SuperMESH
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
750 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
190 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
87 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Länge
15.75mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
5.15mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
20.15mm
Podrobnosti o výrobku
Technologie N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700 V až 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 82,44
€ 2,748 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 82,44
€ 2,748 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
30 - 60 | € 2,748 | € 82,44 |
90 - 480 | € 2,196 | € 65,87 |
510 - 960 | € 1,956 | € 58,69 |
990 - 4980 | € 1,652 | € 49,55 |
5010+ | € 1,594 | € 47,82 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
10.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
800 V
Řada
MDmesh, SuperMESH
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
750 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
190 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
87 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Länge
15.75mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
5.15mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
20.15mm
Podrobnosti o výrobku