řada: NexFETMOSFET CSD19502Q5BT N-kanálový 157 A 80 V, VSON-CLIP, počet kolíků: 8 Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
157 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
80 V
Řada
NexFET
Gehäusegröße
VSON-CLIP
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
4,8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Maximální ztrátový výkon
195 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.1mm
Počet prvků na čip
1
Länge
6.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
130 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1.05mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1V
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
€ 4,44
€ 2,22 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
€ 4,44
€ 2,22 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
2 - 8 | € 2,22 | € 4,44 |
10 - 18 | € 2,11 | € 4,22 |
20 - 48 | € 1,89 | € 3,78 |
50 - 98 | € 1,715 | € 3,43 |
100+ | € 1,64 | € 3,28 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
157 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
80 V
Řada
NexFET
Gehäusegröße
VSON-CLIP
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
4,8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Maximální ztrátový výkon
195 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.1mm
Počet prvků na čip
1
Länge
6.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
130 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1.05mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1V
Podrobnosti o výrobku