Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
155 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.7V
Maximální ztrátový výkon
165 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Počet prvků na čip
1
Länge
15.94mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
48 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
5.02mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
20.95mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK2x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 81,90
€ 4,095 Each (Supplied in a Bag) (bez DPH)
Výrobné balenie (Sáčok)
20
€ 81,90
€ 4,095 Each (Supplied in a Bag) (bez DPH)
Výrobné balenie (Sáčok)
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Množstvo | Jednotková cena | Sáčok |
---|---|---|
20 - 38 | € 4,095 | € 8,19 |
40 - 72 | € 3,595 | € 7,19 |
74 - 148 | € 3,40 | € 6,80 |
150+ | € 3,31 | € 6,62 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
155 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.7V
Maximální ztrátový výkon
165 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Počet prvků na čip
1
Länge
15.94mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
48 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
5.02mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
20.95mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku