řada: TKMOSFET TK31E60W,S1VX(S N-kanálový 31 A 600 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
31 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Řada
TK
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
88 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.7V
Maximální ztrátový výkon
230 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
10.16mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
86 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4.45mm
Höhe
15.1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 167,29
€ 3,346 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 167,29
€ 3,346 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 3,346 | € 167,29 |
| 250 - 450 | € 3,011 | € 150,55 |
| 500+ | € 2,743 | € 137,17 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
31 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Řada
TK
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
88 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.7V
Maximální ztrátový výkon
230 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
10.16mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
86 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4.45mm
Höhe
15.1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products