Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
90 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
8,2 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
126 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.45mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.16mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
49 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
15.1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 7,44
€ 1,488 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 7,44
€ 1,488 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
90 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
8,2 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
126 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.45mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.16mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
49 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
15.1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku