řada: TKMOSFET TK72A08N1,S4X(S N-kanálový 72 A 80 V, TO-220SIS, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
72 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
80 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-220SIS
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
4.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
45 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
10mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
81 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Breite
4.5mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
15mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK6 a TK7, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 5,54
€ 1,108 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
€ 5,54
€ 1,108 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,108 | € 5,54 |
| 25 - 95 | € 0,974 | € 4,87 |
| 100 - 245 | € 0,852 | € 4,26 |
| 250 - 495 | € 0,812 | € 4,06 |
| 500+ | € 0,788 | € 3,94 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
72 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
80 V
Řada
TK
Gehäusegröße
TO-220SIS
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
4.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
45 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
10mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
81 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Breite
4.5mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
15mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK6 a TK7, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products