Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Řada
TK
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
600 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.7V
Maximální ztrátový výkon
60 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Breite
6.1mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.6mm
Höhe
2.3mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK6 a TK7, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
P.O.A.
Each (In a Pack of 8) (bez DPH)
Štandardný
8
P.O.A.
Each (In a Pack of 8) (bez DPH)
Štandardný
8
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Řada
TK
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
600 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.7V
Maximální ztrátový výkon
60 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Breite
6.1mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.6mm
Höhe
2.3mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku