Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
10 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
TPC
Gehäusegröße
SOP, SOP
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
17 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
1.9 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +20 V
Breite
3.9mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
4.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
64 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1.52mm
Podrobnosti o výrobku
MOSFET, P-Channel, řada TPC, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 2,48
€ 0,496 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 2,48
€ 0,496 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
10 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
TPC
Gehäusegröße
SOP, SOP
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
17 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
1.9 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +20 V
Breite
3.9mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
4.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
64 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1.52mm
Podrobnosti o výrobku