Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
TrenchFET
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
600 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0.46V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±8 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
175 °C
Počet prvků na čip
1
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
2 nC při 4,5 V
Breite
1.4mm
Höhe
1.02mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Automobilový standard
AEC-Q101
Krajina pôvodu
China
€ 36,20
€ 0,362 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
€ 36,20
€ 0,362 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
100 - 475 | € 0,362 | € 9,05 |
500 - 975 | € 0,302 | € 7,55 |
1000+ | € 0,256 | € 6,41 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
TrenchFET
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
600 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0.46V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±8 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
175 °C
Počet prvků na čip
1
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
2 nC při 4,5 V
Breite
1.4mm
Höhe
1.02mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Automobilový standard
AEC-Q101
Krajina pôvodu
China