Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 3-Pin DPAK SQD40031EL_GE3
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
TrenchFET
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
136 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
175 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
2.38mm
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
186 nC při 10 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.5V
Höhe
6.22mm
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 1 409,84
€ 0,705 Each (On a Reel of 2000) (bez DPH)
2000
€ 1 409,84
€ 0,705 Each (On a Reel of 2000) (bez DPH)
2000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Vishay SiliconixTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
TrenchFET
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
136 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
175 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
2.38mm
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
186 nC při 10 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.5V
Höhe
6.22mm
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products