Aktuálne dodacie lehoty

Od 1. apríla 2025 vaše objednávky doručuje spoločnosť GLS. Všetky zásielky sa teraz budú doručovať cestnou dopravou. Väčšina objednávok bude doručená do 72 hodín.

Podrobné informácie

Vishay Siliconix TrenchFET Dual N-Channel MOSFET, 6 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SQS944ENW-T1_GE3

Skladové číslo RS: 178-3726Značka: Vishay SiliconixČíslo dielu výrobcu: SQS944ENW-T1_GE3
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

6 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

40 V

Řada

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

40 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.5V

Maximální ztrátový výkon

27.8 W

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

±20 V

Počet prvků na čip

2

Breite

3.15mm

Länge

3.15mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

11,5 nC při 10 V

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

175 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.1V

Höhe

1.07mm

Automobilový standard

AEC-Q101

Krajina pôvodu

China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 1 062,00

€ 0,354 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)

Vishay Siliconix TrenchFET Dual N-Channel MOSFET, 6 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SQS944ENW-T1_GE3

€ 1 062,00

€ 0,354 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)

Vishay Siliconix TrenchFET Dual N-Channel MOSFET, 6 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SQS944ENW-T1_GE3
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

6 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

40 V

Řada

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

40 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.5V

Maximální ztrátový výkon

27.8 W

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

±20 V

Počet prvků na čip

2

Breite

3.15mm

Länge

3.15mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

11,5 nC při 10 V

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

175 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.1V

Höhe

1.07mm

Automobilový standard

AEC-Q101

Krajina pôvodu

China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more