Vishay Siliconix TrenchFET Dual N-Channel MOSFET, 6 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SQS944ENW-T1_GE3

Skladové číslo RS: 178-3726Značka: Vishay SiliconixČíslo dielu výrobcu: SQS944ENW-T1_GE3
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

6 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

40 V

Řada

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

40 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.5V

Maximální ztrátový výkon

27,8 W

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

±20 V

Počet prvků na čip

2

Breite

3.15mm

Länge

3.15mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

11,5 nC při 10 V

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

175 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.1V

Automobilový standard

AEC-Q101

Höhe

1.07mm

Krajina pôvodu

China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 811,88

€ 0,271 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)

Vishay Siliconix TrenchFET Dual N-Channel MOSFET, 6 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SQS944ENW-T1_GE3

€ 811,88

€ 0,271 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)

Vishay Siliconix TrenchFET Dual N-Channel MOSFET, 6 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SQS944ENW-T1_GE3
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

6 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

40 V

Řada

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

40 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.5V

Maximální ztrátový výkon

27,8 W

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

±20 V

Počet prvků na čip

2

Breite

3.15mm

Länge

3.15mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

11,5 nC při 10 V

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

175 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Propustné napětí diody

1.1V

Automobilový standard

AEC-Q101

Höhe

1.07mm

Krajina pôvodu

China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more