MOSFET IRF9540PBF P-kanálový 19 A 100 V, TO-220AB, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
19 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
200 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
150 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
61 nC při 10 V
Breite
4.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.41mm
Maximální pracovní teplota
175 °C
Höhe
9.01mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 100 V až 400 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 9,12
€ 1,824 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 9,12
€ 1,824 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
5 - 45 | € 1,824 | € 9,12 |
50 - 120 | € 1,55 | € 7,75 |
125 - 245 | € 1,46 | € 7,30 |
250 - 495 | € 1,368 | € 6,84 |
500+ | € 1,276 | € 6,38 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
19 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
200 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
150 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
61 nC při 10 V
Breite
4.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.41mm
Maximální pracovní teplota
175 °C
Höhe
9.01mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku