MOSFET IRF9640SPBF P-kanálový 11 A 200 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
500 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
44 nC při 10 V
Breite
9.65mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.41mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
4.83mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 100 V až 400 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
5
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
500 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
44 nC při 10 V
Breite
9.65mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.41mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
4.83mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 100 V až 400 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products