MOSFET IRFI640GPBF N-kanálový 9.8 A 200 V, TO-220FP, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
9.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
180 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
40 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
70 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
9.8mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 200 V až 250 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 20,00
€ 2,00 Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Výrobné balenie (Páska)
10
€ 20,00
€ 2,00 Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Páska)
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 10 - 49 | € 2,00 |
| 50 - 99 | € 1,88 |
| 100 - 249 | € 1,75 |
| 250+ | € 1,64 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
9.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
180 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
40 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
70 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
9.8mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 200 V až 250 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products